檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="105"
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在RF射頻收發機中，頻率合成器的特性非常重要，內部包含了相位偵測器(PFD)、充電幫浦(CP)、迴路濾波器(LF)、壓控振盪器(VCO)、除頻器(FD)，而這其中又以壓控振盪器和注入鎖定除頻器特性為…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，也更加廣泛地應用在不同規格中；依其結構又可分為空乏型氮化鎵與增強型氮化鎵。在電源轉換器不同切換頻率下，空乏型氮化鎵與增強型氮化鎵高電…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
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本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓，晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光)，在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍，…
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本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器，量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
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本篇論文呈現了氮化鋁緩衝層結構之於石墨烯/藍寶石基板上製備高品質氮化鎵薄膜的重要性。本文使用低壓化學氣相沉積法（LPCVD）在在藍寶石基板上成長石墨烯。首先會在兩吋藍寶石基板上蒸鍍一層銅膜以便於獲取…
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本論文主要研製一種混合切換主動箝位返馳式轉換器，所提出混合切換技術可增加功率開關之零電壓切換範圍。本文將氮化鎵高電子遷移率電晶體使用在混合切換主動箝位返馳式轉換器中，藉以提高切換頻率，降低功率損耗。…
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提升切換頻率來降低磁性元件以及濾波元件的大小，藉此提升產品的功率密度已是產業的趨勢。但是以往受限於矽元件的特性，大幅限制了電路的切換頻率，近來氮化鎵元件的興起使得電路可以操作於更高的切換頻率。 以高…
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近年來，氮化鎵(GaN)以被廣泛研究，跟矽比起來有優良的材料特性。此外，在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子，研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
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現今電力電子元件多由矽作為主要的材料，在過去半世紀的研究中發現，矽材料已經逐漸達到物理限制瓶頸，替代矽之新材料也逐漸被發現，包含兩種或更多元素所構成之化合物，這種具有高潛力的半導體稱為「化合物半導體…